以下では、“世界トップ”目指す中国半導体の実像を政策背景から現状、将来の展望まで包括的に解説します。
国家戦略としての“中国製造2025”と重大目標
中国は2015年に「中国製造2025」を掲げ、半導体の自給率70％達成（2025年）を国家目標としました。
しかし2021年時点では16％前後と大きく遅れており、先端技術の遅れが深刻です[参照]
大規模投資と成果の二面性
国家主導の「国家集成回路産業投資基金」（ICF＝ビッグファンド）は第Ⅰ～Ⅲ期で総額数十兆円級の資金を投入[参照]
その結果SMICでは7nm、14nmの実用化に進展が見られますが、多数の“ゾンビファブ”も報告され数十～百億ドルが無駄になっている現実もあります。
技術的ボトルネックと対外規制
先端技術（EUV露光装置やEDAツール）は依然海外依存が大きく、国産化はまだ不十分です
米欧からの輸出管理も強化され、装置・部材入手が困難で、中国に“技術の壁”が存在します。
製造能力の拡大と地場企業の台頭
中国はレガシー半導体を中心に、2027年までに世界の39％の製造キャパシティ保有を目指しています
またSMEEなど国産装置メーカーは成長中で、EUV装置も開発進行中です。
将来展望：トップへの道筋とタイムライン
業界アナリストは「2030年までに製造量ベースでは台湾を超える可能性がある」と予測しています
ただし、技術レベル（最先端0.7nm以下）では遅れが残り、トップへ完全に追いつくには非現実的との見方も多数です。
まとめ：可能性と課題の天秤
中国は国家の強力な後押しと巨額投資により製造規模を急拡大しており、2030年頃には数量面でトップに迫る可能性があります。
しかし、技術の深掘りでは依然として海外の装備・技術への依存が強く、真の意味での世界トップには慎重な見方が多いです。
今後の鍵は「装置製造力」「人材・R&D」「国際規制克服」の3点にあり、進展次第では新たな突破も期待されます。
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